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  • 雙mos管電路,負載開關(guān)電路介紹
    • 發(fā)布時間:2025-07-19 19:13:54
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    雙mos管電路,負載開關(guān)電路介紹
    一、應(yīng)用場景與核心優(yōu)勢
    該負載開關(guān)廣泛應(yīng)用于電池驅(qū)動設(shè)備,例如移動電源、電動工具等場景。在這些場景中,當充電器連接器出現(xiàn)短路故障,或者電氣故障導致連接電纜和交流適配器發(fā)生漏電時,共漏雙 NMOS 負載開關(guān)能夠有效防止電池異常放電,保護電池壽命與電路安全。傳統(tǒng)的二極管雖然也能實現(xiàn)一定的反向電流阻斷功能,但采用 MOSFET 負載開關(guān)可顯著提升電路效率。為了實現(xiàn)兩個電流方向的阻斷,設(shè)計上將兩個 MOSFET 以相反極性串聯(lián),確保只有當兩個 FET 均打開時電流才能正常流通,否則其中一個的體二極管會自動阻斷反向電流。
    負載開關(guān)電路
    二、電路配置與工作原理
    常見的共漏雙 NMOS 高邊負載開關(guān),與單 NMOS 高邊負載開關(guān)類似,需要高于輸入電壓(Vin)的高電壓控制信號(HV_Ctrl)來驅(qū)動。當控制信號激活時,兩個 NMOS 管同時導通,電流從電源正極經(jīng)過兩個導通的 NMOS 管流向負載,負載得電工作。若控制信號關(guān)閉,兩個 NMOS 管截止,電路斷開,負載失電。此時,無論電流試圖從哪個方向反向流動,總有一個 NMOS 的體二極管會反向截止,從而實現(xiàn)反向電流保護功能。
    負載開關(guān)電路
    三、雙 PMOS 高邊負載開關(guān)拓展方案
    除了 NMOS 配置外,共漏雙 PMOS 高邊負載開關(guān)也是一種可行的設(shè)計方案。與單 PMOS 高邊負載開關(guān)相同,其控制端(Ctrl)需要能夠達到接近等于或高于輸入電壓(Vin)的電平。若無法直接提供這樣的控制電平,則需要增加一個三極管或者 MOS 管來驅(qū)動 PMOS 的柵極(G 極)。當控制信號激活時,兩個 PMOS 管導通,負載得電;控制信號關(guān)閉時,PMOS 管截止,負載失電,并且可以有效阻斷反向電流。
    共漏雙 MOS 負載開關(guān)設(shè)計憑借其出色的反向電流保護能力,為電池驅(qū)動系統(tǒng)等應(yīng)用提供了可靠的電路保護方案。設(shè)計人員可根據(jù)實際電路需求與驅(qū)動條件,靈活選擇 NMOS 或 PMOS 配置,確保電路高效、穩(wěn)定運行。
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