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  • pmos電流方向,pmos工作區(qū)解析
    • 發(fā)布時間:2025-07-07 18:21:30
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    pmos電流方向,pmos工作區(qū)解析
    一、PMOS電流流向
    PMOS中,電流從源極(S)流向漏極(D),其導電溝道由帶正電的空穴構成。當柵極(G)相對源極(S)呈負電壓時,會吸引溝道中的空穴向漏極(D)移動,從而形成從源極到漏極的電流。
    pmos電流方向
    二、各極作用及原理
    (一)D極(漏極)
    作用:作為電流流出端。
    原理:在PMOS工作時,電流從源極流向漏極。由于PMOS以空穴為主要載流子,電流方向與電子流動方向相反。漏極通常連接較低電位(如接地或負電源),以便電流從源極流向漏極。
    (二)S極(源極)
    作用:電流流入端。
    原理:源極一般連接較高電位(如正電源),為空穴提供源。PMOS的開關狀態(tài)主要取決于源極與柵極之間的電壓差。當源極電位高于柵極電位時,PMOS導通;反之,當源極與柵極電位差不足時,PMOS關斷。
    (三)G極(柵極)
    作用:控制PMOS開關狀態(tài)。
    原理:柵極控制溝道形成。柵極電壓相對于源極電壓的變化決定PMOS是否導通:
    導通狀態(tài):柵極電壓低于源極電壓(一般低于閾值電壓Vth),PMOS導通,空穴在源極和漏極間形成溝道,電流得以通過。
    關斷狀態(tài):柵極電壓高于或等于源極電壓,溝道關閉,PMOS處于關斷狀態(tài),電流無法通過。
    三、PMOS工作區(qū)域
    截止區(qū):當Vgs>Vth時,PMOS處于關斷狀態(tài),此時無導電溝道形成,漏極電流Id=0。
    線性區(qū):當Vgs<Vth且Vds<Vgs-Vth時,PMOS導通,漏極電流Id與漏源電壓Vds成正比。
    飽和區(qū):當Vgs<Vth且Vds>Vgs-Vth時,PMOS導通,此時漏極電流Id主要受柵源電壓Vgs控制,與漏源電壓Vds關系不大。
    四、NMOS和PMOS工作區(qū)域判斷
    方法一:對NMOS和PMOS分別進行討論,注意在PMOS中,相關電壓值多為負數。
    pmos電流方向
    方法二:利用絕對值進行判斷,比較各電壓與閾值電壓的大小關系,進而確定工作區(qū)域。
    pmos電流方向
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