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深圳市烜芯微科技有限公司
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TTL門(mén)與MOS門(mén)懸空輸入介紹
2023-06-29
TTL門(mén)與MOS門(mén)懸空輸入介紹TTLTTL電路中的TTL是Transistor-Transistor-Logic的英文縮寫(xiě)，指的是晶體管邏輯電路，即TTL門(mén)是又三極管組成的。
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MOSFET電路模型構(gòu)建圖文介紹
2023-06-29
MOSFET電路模型構(gòu)建圖文介紹MOSFET電路模型的構(gòu)建MOSFET在不同應(yīng)用場(chǎng)合使用的電路模型是不同的，要搞懂MOSFET作為數(shù)字開(kāi)關(guān)和模擬放大中的左
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電源設(shè)計(jì),SPICE熱模型及實(shí)例介紹
2023-06-28
電源設(shè)計(jì),SPICE熱模型及實(shí)例介紹圖 1：傳統(tǒng) SPICE 模型和熱模型熱模型通常，熱模型在仿真中較慢，因?yàn)槌苏ｋ姎夂碗娮有袨榈挠?jì)算之外
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MOSFET的SPICE子電路模型介紹
2023-06-28
MOSFET的SPICE子電路模型介紹子電路模型是電路的模型，在模型中含有電路連接信息和器件模型等。上面是Nch MOSFET和二極管組合的子電路模型
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光耦合MOSFET,固態(tài)繼電器圖文解析
2023-06-28
光耦合MOSFET,固態(tài)繼電器圖文解析光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組成。因此，通常將其稱(chēng)為SSR
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻Rg的計(jì)算,選取解析
2023-06-25
MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻Rg的計(jì)算,選取解析對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)來(lái)說(shuō)，MOSFET是實(shí)現(xiàn)電流輸出的關(guān)鍵器件，MOS驅(qū)動(dòng)電路作為控制電路和功率電路的接口，其作用至
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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與原理介紹
2023-06-25
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與原理介紹驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基本要求SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有:①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺(tái)
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SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹
2023-06-25
SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無(wú)需并聯(lián)均流控制等顯著優(yōu)勢(shì)。隨著 SiC M
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SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì),參數(shù)計(jì)算介紹
2023-06-21
SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì),參數(shù)計(jì)算介紹本文提出了一種 SiC MOSFET 的漏源極之間充放電型 RC吸收電路參數(shù)的計(jì)算方法。首先根據(jù)波形
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SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析
2023-06-21
SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析SiC MOSFET短路保護(hù)1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路配置圖文介紹
2023-06-21
MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路配置圖文介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)典型配置使用MOSFET驅(qū)動(dòng)器時(shí)可以采用許多不同的電路配置。很多時(shí)候，由于高的峰值電流、
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率損耗三個(gè)公式介紹
2023-06-20
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率損耗三個(gè)公式介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗對(duì)MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無(wú)論充放電過(guò)程快或慢（柵極電壓的上