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MOS管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與如何制造詳解
2020-05-14
MOS管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與如何制造詳解MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無(wú)論是在IC 設(shè)計(jì)里，還是板級(jí)電路應(yīng)用上，都十分廣泛。MOS管一般是
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MOS管半導(dǎo)體-MOS管選型和測(cè)量方法
2020-05-14
MOS管半導(dǎo)體-MOS管選型和測(cè)量方法MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金屬氧化物半導(dǎo)
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MOS管電壓型靜電擊穿分析
2020-05-14
MOS管電壓型靜電擊穿分析今天主要講MOS管電壓型靜電擊穿特點(diǎn)。其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小
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mos管漏電流和VGS的關(guān)系與MOSFET柵漏電流噪聲分析
2020-05-13
mos管漏電流和VGS的關(guān)系與MOSFET柵漏電流噪聲分析mos管漏電流與VGS呈指數(shù)關(guān)系至此，所考慮的MOS晶體管的工作，都是柵極—源極間電壓VGS比閾
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MOS管發(fā)熱異常匯總-排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行
2020-05-13
MOS管發(fā)熱異常匯總-排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候常常會(huì)發(fā)生MOS管發(fā)熱的情況，而MOS管發(fā)熱說(shuō)明了它正在錯(cuò)誤運(yùn)行。為了避免MOS管發(fā)
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碳化硅mosfet結(jié)構(gòu)特征-應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和Si MOSFET對(duì)比分析
2020-05-13
碳化硅mosfet結(jié)構(gòu)特征-應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和Si MOSFET對(duì)比分析什么是碳化硅mosfet在碳化硅mosfet的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比
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MOS管和三極管區(qū)別-三極管和MOS管如能替換使用嗎
2020-05-13
MOS管和三極管區(qū)別-三極管和MOS管如能替換使用嗎MOS管與三極管作用相似的地方太多，所以常常會(huì)有客戶(hù)問(wèn)到能不能使用三極管來(lái)替代MOS管？今
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VMOS管-VMOS管檢測(cè)方法有哪些與注意事項(xiàng)
2020-05-13
VMOS管-VMOS管檢測(cè)方法有哪些與注意事項(xiàng)VMOS管VMOS管檢測(cè)，vmos管全稱(chēng)V-groove metal-oxide semiconductor，或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型
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性能優(yōu)異的MOS管-MOS管可以應(yīng)用到哪些地方
2020-05-13
性能優(yōu)異的MOS管-MOS管可以應(yīng)用到哪些地方MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管。一般是金
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mosfets場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
2020-05-13
mosfets場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
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什么是磁敏電阻-磁敏電阻的應(yīng)用有哪些
2020-05-12
什么是磁敏電阻-磁敏電阻的應(yīng)用有哪些對(duì)于電阻我們都不陌生，在我們熟悉的電路板當(dāng)中使用最多的元件就是電阻，電阻的作用是分壓限流。電阻
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什么是碳膜電阻-碳膜電阻性能特點(diǎn)與適用范圍
2020-05-12
什么是碳膜電阻-碳膜電阻性能特點(diǎn)與適用范圍市場(chǎng)上電阻種類(lèi)非常多，造價(jià)成本不一，價(jià)格也就有很大的差別。碳膜電阻是電路中常用到的電阻元