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三電平全橋LLC電路原理解析
2024-08-09
三電平全橋LLC電路原理解析三相模塊的母線電壓可以達(dá)到800V，如果DCDC仍然采用傳統(tǒng)的兩電平拓?fù)?，那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。
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怎么判斷NMOS管與PMOS管
2024-08-09
怎么判斷NMOS管與PMOS管MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、
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電平轉(zhuǎn)換電路怎么實(shí)現(xiàn)VDD和MCU之間串口通信
2024-08-09
電平轉(zhuǎn)換電路怎么實(shí)現(xiàn)VDD和MCU之間串口通信先說(shuō)一說(shuō)這個(gè)電路的用途：當(dāng)兩個(gè)MCU在不同的工作電壓下工作（如MCU1工作電壓5V；MCU2工作電壓3 3
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GS寄生電容的缺點(diǎn)介紹
2024-08-09
GS寄生電容的缺點(diǎn)介紹如下是一個(gè) NMOS 的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào) VG1 設(shè)置 DC 電平 2V，方波（振幅 2V，頻率 50Hz），T2 的開(kāi)啟電壓
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NMOS場(chǎng)效應(yīng)管與PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
2024-08-09
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管與PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析直流供電產(chǎn)品在系統(tǒng)高可靠性要求下防反接保護(hù)是重要保護(hù)之一，二極管的單向?qū)ㄌ匦允苟O管作為了
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2N7002電平轉(zhuǎn)換電路的工作過(guò)程介紹
2024-08-09
2N7002電平轉(zhuǎn)換電路的工作過(guò)程介紹如圖所示是常用的分立器件搭的電平轉(zhuǎn)換電路，具體工作過(guò)程如下：1、當(dāng)Net1輸出高電平時(shí)，MOS管Q1的Vgs=0
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NMOS管的工作原理與導(dǎo)通特性介紹
2024-08-08
NMOS管的工作原理與導(dǎo)通特性介紹NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們
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開(kāi)關(guān)管,二極管,穩(wěn)壓反饋回路原理解析
2024-08-08
開(kāi)關(guān)管,二極管,穩(wěn)壓反饋回路原理解析開(kāi)關(guān)管的選擇一般選用N 型mos管作為開(kāi)關(guān)管（下圖為電流波形）漏源間擊穿電壓：在開(kāi)關(guān)管截止時(shí)，將會(huì)承
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嵌入式硬件開(kāi)發(fā)中MOS管保護(hù)方法介紹
2024-08-08
嵌入式硬件開(kāi)發(fā)中MOS管保護(hù)方法介紹在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個(gè)問(wèn)題就是電源的保護(hù)，往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電
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電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開(kāi)關(guān)電路介紹
2024-08-08
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開(kāi)關(guān)電路介紹對(duì)于MOS管，我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢？我們一般會(huì)用一個(gè)三極
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三極管是怎么實(shí)現(xiàn)電子開(kāi)關(guān)功能的
2024-08-08
三極管是怎么實(shí)現(xiàn)電子開(kāi)關(guān)功能的三極管的基本原理三極管和MOS管都可以作為電子開(kāi)關(guān)使用，三極管屬于電流控制元器件，跟MOS管不同，MOS管屬
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MOS晶體管的工作原理介紹
2024-08-08
MOS晶體管的工作原理介紹MOS管的全稱(chēng)是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如圖所示這是一個(gè)N溝道的MOS晶體管，一共有三個(gè)級(jí)，漏極，柵極、源極