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開關(guān)損耗測(cè)量中需要注意的問(wèn)題分析
2023-04-14
開關(guān)損耗測(cè)量中需要注意的問(wèn)題分析開關(guān)損耗測(cè)量中應(yīng)考慮哪些問(wèn)題在實(shí)際的測(cè)量評(píng)估中，我們用一個(gè)通道測(cè)量電壓，另一個(gè)通道測(cè)量電流，然后軟
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驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通介紹
2023-04-14
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通介紹驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí)，功
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驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通怎么避免
2023-04-13
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通怎么避免避免驅(qū)動(dòng)誤開通的方法門極電阻、電容法為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過(guò)調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)的電阻和電容，如
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SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問(wèn)題,誤開通詳解
2023-04-13
SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問(wèn)題,誤開通詳解相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率損耗怎么計(jì)算
2023-04-13
MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率損耗怎么計(jì)算在一些大電流的MOS管應(yīng)用電路中，功耗越大，意味著發(fā)熱越多，器件溫升就越高，這對(duì)于電路的穩(wěn)定工作而言是個(gè)
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小功率電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖文介紹
2023-04-12
小功率電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖文介紹MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)
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SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chǎn)生原因在半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖
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MOSFET應(yīng)用,緩沖電路種類詳解
2023-04-12
MOSFET應(yīng)用,緩沖電路種類詳解緩沖電路的種類緩沖電路分為由電阻、線圈和電容器等被動(dòng)部件組合的電路，和包含半導(dǎo)體元器件的主動(dòng)電路。為了
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緩沖電路設(shè)計(jì)方法介紹
2023-04-11
緩沖電路設(shè)計(jì)方法介紹緩沖電路的設(shè)計(jì)方法1．圖所示的緩沖電路是通過(guò)CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比L
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不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹
2023-04-11
不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在
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同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹
2023-04-11
同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)
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DCDC,電源IC損耗計(jì)算方法介紹
2023-04-10
DCDC,電源IC損耗計(jì)算方法介紹本文將在簡(jiǎn)單的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法在很多情況下，電源IC