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一、反激拓?fù)潆娐坊A(chǔ)

反激式開(kāi)關(guān)電源作為一種高效、緊湊的電源轉(zhuǎn)換方案，在電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。其基本線路包括以下幾個(gè)關(guān)鍵部分：

DC IN ：市電經(jīng)過(guò)整流濾波后的直流輸入，為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的直流電。

Drive ：控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，用于控制 Q1 的 ON/OFF 狀態(tài)，調(diào)節(jié)電路的工作周期。

CS ：控制芯片對(duì) Q1 電流的采樣端口，用于監(jiān)測(cè)和控制開(kāi)關(guān)管的電流，保障電路安全運(yùn)行。

AGND ：初級(jí)側(cè)的地，作為初級(jí)電路的參考電位點(diǎn)。

DC OUT ：電源的輸出端，為負(fù)載設(shè)備提供所需的直流電壓。

GND ：次級(jí)側(cè)的地，作為次級(jí)電路的參考電位點(diǎn)。

二、DCM 與 CCM 工作模式

（一）判斷依據(jù)

反激式電源的工作模式主要分為斷續(xù)導(dǎo)電模式（DCM）和連續(xù)導(dǎo)電模式（CCM）。準(zhǔn)確判斷工作模式需要綜合考慮初級(jí)和次級(jí)電流的情況：

CCM 模式 ：當(dāng)初級(jí)和次級(jí)電流不是同時(shí)為零時(shí)，電路處于 CCM 模式。這意味著在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷期間，變壓器中鐵芯中的磁能持續(xù)傳遞到次級(jí)，次級(jí)整流二極管一直有電流流過(guò)，確保負(fù)載獲得連續(xù)的功率供應(yīng)。

DCM 模式 ：如果存在初級(jí)和次級(jí)電流同時(shí)為零的狀態(tài)，則電路處于 DCM 模式。在此模式下，開(kāi)關(guān)管關(guān)斷后，變壓器存儲(chǔ)的磁能完全釋放，次級(jí)整流二極管電流降為零，負(fù)載電流出現(xiàn)間斷。

BCM 模式 ：工作模式介于 DCM 和 CCM 之間時(shí)，被稱(chēng)為不連續(xù) - 連續(xù)混合模式（BCM）。這種模式通常出現(xiàn)在電路參數(shù)接近 DCM 和 CCM 邊界的情況。

（二）波形區(qū)別

變壓器初級(jí)電流波形 ：DCM 模式下呈現(xiàn)三角波形，電流從零線性上升至峰值后迅速下降回零；CCM 模式則表現(xiàn)為梯形波，電流在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通期間線性上升，關(guān)斷期間逐漸下降，不會(huì)回到零。

次級(jí)整流管電流波形 ：與初級(jí)電流波形類(lèi)似，DCM 模式為三角波，次級(jí)電流在磁能傳遞期間線性上升，之后迅速回落至零；CCM 模式為梯形波，次級(jí)電流在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷期間仍保持一段時(shí)間的導(dǎo)通，確保負(fù)載電流的連續(xù)性。

MOS 管的 Vds 波形 ：在 DCM 模式下，MOS 管關(guān)斷后，Vds 會(huì)從 Vin + Vf（Vf 是次級(jí)反射到原邊的電壓）的平臺(tái)值下降，并伴隨阻尼震蕩，這是由于變壓器漏感能量釋放和結(jié)電容諧振所致；而在 CCM 模式下，Vds 在下一個(gè)周期開(kāi)通前一直維持在 Vin + Vf 的平臺(tái)上，沒(méi)有明顯的震蕩現(xiàn)象。

三、MOS 管開(kāi)通與關(guān)斷瞬間的 Vds 波形分析

（一）DCM 模式

關(guān)斷瞬間 ：從 MOS 管的波形可以看出，MOS 管關(guān)斷時(shí)，其上的尖峰電壓可能遠(yuǎn)超 Vin + Vf。這主要?dú)w因于變壓器初級(jí)的漏感 Lk。漏感的電流變化會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，且由于漏感能量無(wú)法通過(guò)磁芯耦合到次級(jí)，導(dǎo)致電壓急劇上升。為避免 MOS 管被尖峰電壓擊穿損壞，通常在初級(jí)側(cè)設(shè)計(jì) RCD 吸收緩沖電路，將漏感能量先存儲(chǔ)在電容上，再通過(guò)電阻消耗掉。

次級(jí)電流歸零后 ：當(dāng)變壓器次級(jí)電流降至零時(shí)，磁芯能量基本釋放完畢。次級(jí)整流管因電流為零而截止，相當(dāng)于次級(jí)開(kāi)路，輸出電壓不再反饋到初級(jí)。此時(shí)，由于 MOS 管 Vds 電壓高于輸入電壓 Vin，在電壓差作用下，MOS 管的結(jié)電容和初級(jí)漏感發(fā)生諧振。諧振電流對(duì) MOS 管結(jié)電容放電，使 Vds 電壓開(kāi)始下降。經(jīng)過(guò)約 1/4 諧振周期后，電壓又開(kāi)始上升。不過(guò)，受 RCD 嵌位電路及其他寄生電阻影響，這個(gè)振蕩屬于阻尼振蕩，幅度會(huì)逐漸衰減。

（二）CCM 模式

在 CCM 模式下，MOS 管關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓與 DCM 模式原理相似，但由于次級(jí)電流的連續(xù)性，關(guān)斷后不會(huì)出現(xiàn)后續(xù)的振蕩現(xiàn)象。這是因?yàn)榇渭?jí)整流管在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷期間仍能持續(xù)導(dǎo)通，為磁芯能量釋放提供通路，使得初級(jí)側(cè)電壓能夠平穩(wěn)維持在 Vin + Vf 水平，避免了因能量瞬間釋放導(dǎo)致的振蕩。

深入理解反激式開(kāi)關(guān)電源的波形特性及其工作模式，對(duì)電源設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化具有重要意義，有助于提升電源的性能和可靠性。