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光控開關(guān)電路,mos管光控電路圖介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2025-05-16 19:29:10
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光控開關(guān)電路,mos管光控電路圖介紹
一、光控開關(guān)電路簡(jiǎn)介
光控開關(guān)電路是一種依據(jù)光線變化實(shí)現(xiàn)電路自動(dòng)開閉的裝置。其核心元件是光敏電阻,當(dāng)光照強(qiáng)度改變時(shí),光敏電阻的阻值相應(yīng)變化,進(jìn)而控制電路的通斷。該電路廣泛適用于街道、宿舍走廊等公共場(chǎng)所的照明燈具控制,可實(shí)現(xiàn)日熄夜亮的功能,有效節(jié)約用電。
二、MOS 管光控電路設(shè)計(jì)
(一)所需組件
制作基于 MOSFET 的光控開關(guān),主要需要以下元件:IRFZ44N MOSFET、光敏電阻(LDR)、4.5MΩ 電阻、12V LED 燈帶作為負(fù)載以及 9V 電池用于供電。
光控開關(guān)電路
(二)電路連接方式
IRFZ44N MOSFET 的漏極端子與 LED 的負(fù)極端子相連。
4.5MΩ 電阻的負(fù)極端子接至 MOSFET 的源極端子,正極端子連接到 LED 的正極端子。
LDR 的正極端子連接到 MOSFET 的柵極端子,負(fù)極端子連接到 MOSFET 的源極端子。
電阻器的一端連接到電池的正極,柵極端則連接到電池的負(fù)極或 GND。
(三)工作原理
光照充足時(shí)(白天) :光敏電阻 LDR 受到較強(qiáng)光照,其阻值降低。此時(shí),MOSFET 的柵極電壓較低,MOSFET 處于截止?fàn)顟B(tài),LED 電路斷開,LED 不發(fā)光。
光照較弱時(shí)(夜晚) :光敏電阻 LDR 阻值增大,MOSFET 的柵極電壓升高,MOSFET 導(dǎo)通,LED 電路形成閉合回路,LED 發(fā)光。通過這種方式,光控開關(guān)自動(dòng)控制 LED 的亮滅,實(shí)現(xiàn)夜亮日熄的功能。
三、光控開關(guān)電路拓展應(yīng)用
以下是一個(gè)稍復(fù)雜的光控開關(guān)電路原理圖,其主要特點(diǎn)是白天有光照時(shí)燈泡不亮,夜晚黯淡無光時(shí)電路自動(dòng)通電,燈泡亮起。
光控開關(guān)電路
(一)電路組成及工作原理
白天狀態(tài) :在較強(qiáng)光照下,光導(dǎo)管 227A(一種光敏電阻)兩端阻值很小,約 20 - 50kΩ。晶體管 VT2 獲得基極電流而導(dǎo)通,VT1 從 R2 上得到正偏電壓也導(dǎo)通,繼電器線圈 KA 得電。繼電器的常閉觸點(diǎn) ②、③ 斷開,兩只晶閘管 V1 和 V2 沒有觸發(fā)信號(hào)而不導(dǎo)通,因而燈泡 EL 不亮。
夜晚狀態(tài) :夜幕降臨時(shí),隨著光照強(qiáng)度下降,光導(dǎo)管 227A 的阻值不斷增加,最終可達(dá) 1MΩ 左右。VT1 因基極電流太小而截止,VT1 也相應(yīng)截止,繼電器 KA 失電釋放,常閉觸點(diǎn) ②、③ 閉合,晶閘管 V1、V2 因其兩控制相連而處于雙向?qū)顟B(tài),電源被接通,照明燈亮。
電容器作用 :電容器 C3 用于防止夜間瞬時(shí)強(qiáng)光干擾引起照明燈熄滅。而當(dāng)光亮強(qiáng)度在臨界點(diǎn)附近緩慢變化時(shí),易引起繼電器顫動(dòng)而使燈光閃動(dòng),C2 可以過濾掉脈沖電流,避免照明燈閃亮。
四、光敏電阻特性對(duì)電路影響
光敏電阻是一種基于光電導(dǎo)效應(yīng)的可變電阻器。它通常由高阻半導(dǎo)體材料制成,當(dāng)入射光具有足夠高的頻率時(shí),半導(dǎo)體吸收光子獲得足夠能量,使束縛電子移動(dòng)到導(dǎo)帶中,從而降低電阻。光敏電阻的光敏度會(huì)隨周圍溫度變化而波動(dòng),且通常存在 10 毫秒或以下的延遲,即從光暴露到電阻下降之間存在延遲。在實(shí)際應(yīng)用中,這些特性需要被充分考慮,以確保光控開關(guān)電路的穩(wěn)定性和可靠性。
光控開關(guān)電路以其獨(dú)特的光線控制功能,在眾多自動(dòng)照明控制場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。通過合理選擇元件、設(shè)計(jì)電路,可以滿足不同場(chǎng)景下的照明需求,同時(shí)實(shí)現(xiàn)節(jié)能目標(biāo)。
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