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  • MOS管Vg大于Vth后,耗盡區(qū)會繼續(xù)變大嗎
    • 發(fā)布時間:2024-12-28 18:54:03
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    MOS管Vg大于Vth后,耗盡區(qū)會繼續(xù)變大嗎
    在MOS管中,柵極電壓控制耗盡區(qū)的形成。MOS管的耗盡區(qū),電流主要由漏極到源極的電流決定。
    當柵極電壓低于或等于閾值電壓時,漏極和源極之間的耗盡區(qū)存在,導致電流受限。
    但當柵極電壓超過閾值電壓時,MOS管進入了放大區(qū)或飽和區(qū),這意味著柵極電壓足夠大以至于完全反轉(zhuǎn)了耗盡區(qū)。
    在飽和區(qū)或放大區(qū),MOS管的漏極到源極的電流幾乎不再受耗盡區(qū)的影響。相反,漏極到源極電流主要由柵極電壓和管子內(nèi)的電場決定。
    當柵極電壓超過閾值電壓時,耗盡區(qū)變窄并形成彎曲,并且在柵極下方會形成一個反型層,從而允許更多的電子通過(從漏極到源極)。
    反型層作為漏極到源極的導通溝道。柵極電壓越大,反型層越厚,柵極增加的電壓落在反型層,耗盡層不會繼續(xù)變大。
    MOS管Vg Vth 耗盡區(qū)變大
    因此,當MOS管的柵極電壓超過閾值電壓時,耗盡區(qū)不再起主導作用,而是變得很小。這導致了更高的導通電流,所以耗盡區(qū)不會繼續(xù)變大。
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