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  • NMOS管的源極與地之間接入負(fù)載后,控制柵極還能控制開與斷嗎
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-27 18:58:00
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    NMOS管的源極與地之間接入負(fù)載后,控制柵極還能控制開與斷嗎
    我們首先拿一個(gè)NMOS來舉例。
    對于N溝道MOS管來說其導(dǎo)通條件一般為VG大于VS電壓。
    假設(shè)一個(gè)5V電壓作用于柵極,MOS管在這一瞬間被導(dǎo)通。
    原因是此時(shí)VG=5V, VS=0V,從而滿足了導(dǎo)通條件VGS大于0。
    當(dāng)MOS管導(dǎo)通后,VS會(huì)變?yōu)閂CC,也就是12V,在這時(shí)VGS電壓將變?yōu)?V,減去原本的12V,VGS變成了-7V,在這一瞬間MOS管將被關(guān)斷。
    但在某些電路中又必須將負(fù)載放在源極下面。
    用三極管基極通上高電平,三極管導(dǎo)通,這就意味著mos管的柵極連接到了0V,所以MOS管關(guān)斷。
    但同時(shí),這個(gè)電容器將充電到12V,在這個(gè)充電過程中,源極電壓會(huì)慢慢從12V降為0V,所以當(dāng)三極管基極放置低信號時(shí),三極管被關(guān)斷,在這一瞬間MOS管的柵極電壓被電容抬高了。
    因此,加在柵極上的電壓,是電容器的12V再加上來自VCC的12V電壓,所以是24V。
    最后,這次GS電壓為24,減去前面的12,為12V,因此mos管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
    NMOS管 源極 接入負(fù)載 柵極控制
    (MOS管負(fù)載開關(guān)電路原理圖)
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