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  • MOS管怎么判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-30 19:55:29
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    MOS管怎么判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力
    一、現(xiàn)象
    現(xiàn)象①
    你是否遇到過這樣的情況?IC芯片空載時(shí),輸出電壓正常,但當(dāng)帶上負(fù)載后,輸出電壓馬上就會往下掉。這是怎么回事呢?
    現(xiàn)象②
    如圖為MOS管的驅(qū)動(dòng)波形,可以看出開啟過程并不順利。這是為什么呢?
    MOS管判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力
    正常情況下,帶載后的電壓可能會比空載電壓略低,但下降幅度不明顯。如果輸出電壓下降太多,可能原因有兩種:
    ①后級負(fù)載短路,輸出電壓直接到地。這時(shí)候需要確認(rèn)后級電路是否有虛焊或元件損壞。
    ②IC驅(qū)動(dòng)能力不夠。
    二、什么情況下要考慮驅(qū)動(dòng)能力?
    任何情況都要考慮,包括數(shù)字信號處理的接口電路中。但是常說的驅(qū)動(dòng)能力都是在驅(qū)動(dòng)功率器件的情況下用得比較多,比如上面提到的MOS驅(qū)動(dòng)。
    三、如何判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力?
    查看芯片資料,里面都有說明I/O口的驅(qū)動(dòng)能力。根據(jù)你的負(fù)載所需要的驅(qū)動(dòng)能力來判斷這個(gè)IC的I/O口是否符合。前面現(xiàn)象②明顯是MOS管的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的。
    由于國外器件采購的限制,很多公司都面臨IC國產(chǎn)化問題,我們也一樣。
    拿到樣品后我們需要做相關(guān)的實(shí)驗(yàn),例如最近有一款代替MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片。大概說明一下測試方法(之前我有一篇文章寫的是關(guān)于如何估算MOS的驅(qū)動(dòng)電流的文章,如果不是替代實(shí)驗(yàn),不知道驅(qū)動(dòng)電流大概多少的可以看一下。)
    可以先估算MOS管的驅(qū)動(dòng)電流,假設(shè)300mA。同等條件下,再對比兩款芯片帶假負(fù)載后芯片的溫升及負(fù)載電壓。如果溫升和電壓差不多,就直接驅(qū)動(dòng)MOS,再做進(jìn)一步實(shí)驗(yàn),否則不可用。
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