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  • 集成電路,MOS管的亞閾值區(qū)介紹
    • 發(fā)布時間:2023-02-21 17:16:06
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    集成電路,MOS管的亞閾值區(qū)介紹
    Vds與Vdsat的關(guān)系
    Vds > Vdsat時,region變?yōu)?,為了保證PVT下電路仍處于飽和區(qū),需要讓Vds -Vdsat大于某個經(jīng)驗值。
    MOS管 亞閾值區(qū)
    作圖步驟詳見前文
    在長溝道工藝(大約是大于4um)中,Vdsat=Vov, 過驅(qū)動電壓Vov=Vgs-Vth,當(dāng)Vds > Vdsat時,MOS管的溝道夾斷(pinch off),電流飽和。
    但在先進(jìn)工藝中,Vdsat偏離了Vov,也就是小于Vov,這是因為速度飽和效應(yīng),Vds達(dá)到Vdsat而還沒有達(dá)到Vov時,電流就飽和了。此時,溝道還沒有夾斷。
    速度飽和效應(yīng):溝道場強(qiáng)
    MOS管 亞閾值區(qū)
    足夠強(qiáng)時,多子漂移速度為
    MOS管 亞閾值區(qū)
    也就是速度達(dá)到飽和,為定值Vsat,平方律公式變?yōu)榱艘淮蔚摹?/div>
    使管子工作在亞閾值區(qū)的目的:
    相同電流下,亞閾值區(qū)的Vdsat小,gm小,等效輸入噪聲電壓小,但同時W/L大,電容大。
    Vgs<Vth約100mV,Vds>3VT【VT=0.026V】,是亞閾值區(qū)的飽和區(qū),這時擴(kuò)散電流為主。
    MOS管 亞閾值區(qū)
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