在直流電源系統(tǒng)中，電源的輸入端，為了防止電源正負極接反，通常會在輸入端對電源進行防反接保護。防反接保護的方法有很多種，今天就來介紹一下。
二極管防反接
利用二極管的單向?qū)ㄌ攸c實現(xiàn)防反接，這種方式是最簡單的防反接方法，成本也低，但是缺點也很明顯。
首先，二極管的壓降較大，硅管0.7V左右，鍺管0.2-0.3V左右。這在一些電源電壓較小的應用中就不合適，比如鋰電池供電，3.3V的系統(tǒng)中，二極管上會損失至少0.2V的壓降。
另外，不適合大電流的應用。假如系統(tǒng)電流2A，二極管壓降0.7V，則二極管上的功耗為1.4W，發(fā)熱量大，效率低。
整流橋防反接
這種方式也是利用二極管的單向?qū)ㄌ攸c，只不過使用了四個二極管。這種方式的優(yōu)點是，無論正接反接電路都會正常工作。缺點與二極管防反接一樣，而且壓降是兩個二極管的壓降，缺點更明顯。
NMOS管防反接
圖中Q1為NMOS管，當電源正接時，MOS管的體二極管導通，源極S的電壓為0.7V左右，柵極G的電壓VBAT，則Vgs =（VBAT-0.6）*R5/(R5+R3)，當選取合適的R3和R5值，使Vgs達到MOS管的開啟電壓，則MOS管DS極導通，體二極管被短路，系統(tǒng)通過MOS管形成回路。
MOS管的導通電阻一般很小，毫歐級別，即使系統(tǒng)電流較大也不會產(chǎn)生很大的壓降和功耗。
當電源反接時，寄生二極管反接，MOS的導通電壓為0，NMOS截止，從而對系統(tǒng)形成保護。
圖中D5為穩(wěn)壓管，防止Vgs電壓過大導致MOS被擊穿，C1電容的作用是使電路有個軟啟動的過程，電流通過R3對C1充電，使G極電壓逐步建立。
PMOS管防反接
PMOS管防反接與NMOS管原理一樣，只不過NMOS是接在電源負極，PMOS是接在電源正極。電路如下，不再具體分析。
烜芯微專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系上方的聯(lián)系號碼或加QQ，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
首先，二極管的壓降較大，硅管0.7V左右，鍺管0.2-0.3V左右。這在一些電源電壓較小的應用中就不合適，比如鋰電池供電，3.3V的系統(tǒng)中，二極管上會損失至少0.2V的壓降。
另外，不適合大電流的應用。假如系統(tǒng)電流2A，二極管壓降0.7V，則二極管上的功耗為1.4W，發(fā)熱量大，效率低。
整流橋防反接
這種方式也是利用二極管的單向?qū)ㄌ攸c，只不過使用了四個二極管。這種方式的優(yōu)點是，無論正接反接電路都會正常工作。缺點與二極管防反接一樣，而且壓降是兩個二極管的壓降，缺點更明顯。
NMOS管防反接
圖中Q1為NMOS管，當電源正接時，MOS管的體二極管導通，源極S的電壓為0.7V左右，柵極G的電壓VBAT，則Vgs =（VBAT-0.6）*R5/(R5+R3)，當選取合適的R3和R5值，使Vgs達到MOS管的開啟電壓，則MOS管DS極導通，體二極管被短路，系統(tǒng)通過MOS管形成回路。
MOS管的導通電阻一般很小，毫歐級別，即使系統(tǒng)電流較大也不會產(chǎn)生很大的壓降和功耗。
當電源反接時，寄生二極管反接，MOS的導通電壓為0，NMOS截止，從而對系統(tǒng)形成保護。
圖中D5為穩(wěn)壓管，防止Vgs電壓過大導致MOS被擊穿，C1電容的作用是使電路有個軟啟動的過程，電流通過R3對C1充電，使G極電壓逐步建立。
PMOS管防反接
PMOS管防反接與NMOS管原理一樣，只不過NMOS是接在電源負極，PMOS是接在電源正極。電路如下，不再具體分析。
烜芯微專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系上方的聯(lián)系號碼或加QQ，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹